삼성전자가 나노기술을 이용한 D램 양산을 포함한 기술일류화, 메모리 제품군 복합화로 ‘반도체 기가·나노시대’를 본격화하며 메모리 반도체 사업의 제2도약을 선언했다.
삼성전자는 16일 서울 호텔신라에서 메모리 사업 관련 내·외신기자 간담회를 갖고 꿈의 기술로 평가되는 90나노 D램 양산기술을 확보하고 업계 최초로 2기가 데이터저장용(NAND) 플래시 메모리 시생산에 성공했다고 발표했다.
삼성전자는 반도체 공정기술에서 마의 벽으로 인식돼온 0.10㎛(미크론)을 뛰어넘는 90나노 기술로 NAND 플래시 시생산 성공과 D램 양산기술을 확보함으로써 메모리 산업에서 나노기술의 상용화에 대한 새로운 이정표를 세웠다고 밝혔다.
삼성전자가 발표한 2기가 NAND 플래시 메모리는 엄지손가락만한 크기의 4기가바이트 메모리 카드의 제작을 가능하게 하며 기존 음악CD 70장 또는 영화 비디오 테이프 4편의 데이터를 대체 저장할 수 있는 대용량 제품이다.
삼성전자는 카메라, 게임기 등 각종 디지털 기기에 채용되는 NAND 플래시 메모리의 등장으로 필름과 PC의 플로피 디스크, 소용량의 하드디스크 드라이브까지 사라짐으로써 전자기기의 모바일화 및 멀티미디어화를 가속화시킬 것이라고 전망했다.
삼성전자는 월 2만장 생산규모의 300㎜ 웨이퍼 전용라인을 2003년 3분기부터 본격 가동해 이 제품을 양산할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 “IT산업이 확산되면서 메모리 반도체가 더욱 빠르게 진보하고 모든 디지털 제품에 급속히 채용되는 등 PC 의존도에서 본격적으로 벗어나는 패러다임의 변화를 맞고 있다”며 메모리 신성장론을 밝혔다.

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